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SLD光源耦合封装 沐普科技 洪山SLD光源

发布日期 :2023-04-29 01:38发布IP:123.58.44.124编号:11810350
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先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别,这样可能更好的理解。

超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性,LED是纯粹的自发辐射,功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高,自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子,在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射,受激发射的光子从而呈指数型增加,SLD宽带光源,由初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点,即腔内损耗等于增益的时候。

对于光谱特性,SLD是初的自发发射谱和LED相同,洪山SLD光源,但在增益的过程中,靠近中心增益波长的光子得到更大的放大,远离中心增益波长的光子得到的较小的放大,从而使光谱变窄。

对于远场分布特性,SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向,SLD光源耦合设备,由于LED是随机的自发辐射,方向也都是随机的,在这一方向的发散角是120°左右,而SLD在经过定向的自发放大后,发散角也得到了缩小,接近于LD的状态,一般为20°左右。




武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求,SLD光源耦合封装,SLED光源是专门为了传感、光纤螺旋和实验室等这些特殊的领域所专门设计的超光源宽带。SLED光源是由半导体发光器件主要包括发光二极管,也就是人们常说的LED、数码管和显示屏等。但归根结底,这一系列的发光器件都可以被称为发光二极管。sled在生活中的应用已经无处不在,路边的广告牌、电视、液晶屏都可以见到它的身影。

但归根结底,这一系列的发光器件都可以被称为发光二极管。sled在生活中的应用已经无处不在,路边的广告牌、电视、液晶屏都可以见到它的身影。

SLD的光学带宽通常是几十纳米。对应的相干长度为几十微米。输出的波长通常为800 nm,1300 nm和1550 nm。输出功率在几毫瓦到几十毫瓦之间。由于辐射的光在空间上接近于是衍射极限的,即空间相干性和光束质量都很高,很容易耦合进光纤中。

SLD的这些特性使得在需要平滑的宽光谱(低的时间相干性)和高的空间相干性、相对较高强度光源的领域中不可少。例如:

在光学相干断层扫描(OCT)中,用于眼角l膜和视网l膜诊断、心血l管造影以及其他生物医学或者生物研究中,需要高空间分辨率、宽带宽的影像,以及在高的信噪比情况下需要比较高的光功率时,需要用SLD。





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